LPDDR6内存标准, 正式发布!
- 2025-07-11 07:08:07
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本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合
新版JESD209-6 LPDDR6 标准是内存技术的重大进步,在性能、能效和安全性方面均有提升。
JEDEC 固态技术协会发布 JESD209-6,即最新的低功耗双倍数据速率 6(LPDDR6)标准。JESD209-6 旨在显著提升多种应用场景(包括移动设备和人工智能)的内存速度与效率。JEDEC 称,新版 JESD209-6 LPDDR6 标准是内存技术的重大进步,在性能、能效和安全性方面均有提升。
高性能
为支持人工智能应用及其他高性能工作负载,LPDDR6 采用双子通道架构,在保持 32 字节小访问粒度的同时实现灵活操作。此外,LPDDR6 的主要特性还包括:
每颗芯片含2 个子通道,每个子通道有 12 条数据信号线(DQs),以优化通道性能。
每个子通道包含4 条命令 / 地址(CA)信号,经优化减少焊球数量并提高数据访问速度。
静态效率模式,旨在支持大容量内存配置并最大化存储体资源利用率。
灵活的数据访问,支持实时突发长度控制,可实现32B 和 64B 访问。
动态写入NT-ODT(非目标片上终端),使内存能根据工作负载需求调整 ODT,提升信号完整性。
能效
为满足不断增长的能效需求,与LPDDR5 相比,LPDDR6 采用更低电压和低功耗的 VDD2 供电,并强制要求 VDD2 采用双电源设计。其他节能特性包括:
采用交替时钟命令输入,提升性能与效率。
低功耗动态电压频率调节(DVFSL),在低频运行时降低 VDD2 电压,减少功耗。
动态效率模式,在低功耗、低带宽场景下采用单子通道接口。
支持部分自刷新和主动刷新,降低刷新功耗。
安全性与可靠性
相较于上一版本标准,安全性和可靠性方面的改进包括:
每行激活计数(PRAC),支持 DRAM 数据完整性。
定义隔离元模式,通过为关键任务分配特定内存区域,提升整体系统可靠性。
支持可编程链路保护方案和片上纠错码(ECC)。
能够支持命令/ 地址(CA)奇偶校验、错误清理以及内存内置自测试(MBIST),增强错误检测能力和系统可靠性。
日前,三星电子设备解决方案(DS)部门副董事长全永铉宣布,三星将于今年下半年通过第六代“1c DRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存,并计划向高通等科技巨头供货。
据悉,1c DRAM是DRAM制造的第六代工艺节点,相比前代技术,其晶体管密度更高、能效比更优。三星通过“设计变更”战略,将1c DRAM的冷态良率提升至50%,热态良率达60%-70%,并计划在韩国华城工厂建设新生产线,扩大产能。LPDDR6内存基于1c工艺开发,带宽和功耗表现显著提升,可满足AI模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。
据行业消息,高通下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存,并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相。
随着AI应用向终端设备下沉,LPDDR6内存的带宽与能效成为关键竞争力。三星计划通过向高通等厂商供货,进一步渗透智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场,强化其技术壁垒。此外,三星还在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术,构建覆盖AI全场景的内存解决方案。
目前,三星已制定1c DRAM扩产计划,预计最早于今年年底完成韩国华城工厂生产线建设。此外,该公司正同步开发DDR与LPDDR用1c DRAM,打破传统开发顺序,加速商业化进程。
LPDDR6 将取代现有的 LPDDR5 内存及其衍生版本,而 LPDDR5 标准早在 2019 年就已经发布。距离 LPDDR5 标准问世已有将近五年时间,在这段时间里,三星和美光推出了 LPDDR5x,SK 海力士也推出了 LPDDR5T,其传输速率高达 9.6 Gbps。这些低功耗的 DRAM 内存非常适合智能手机、轻薄型设备甚至笔记本电脑 / 迷你台式机等强调低功耗的设备。
采用LPDDR5 (X / T) 规格的内存模组正越来越多地出现在各种产品中。例如,LPCAMM2 模组凭借其小巧的模块化外形尺寸、更大的容量和更高的可升级性,将彻底改变 PC 内存市场。
此外,最近上市的LPCAMM2 模组采用了 LPDDR5 (X / T) 的变种,由于其小巧的模块化外形尺寸,能够提供更大的容量和可升级性,将改变 PC 市场格局。
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